一、二管
数字万用表二管档开路电压约为2.8V，红表笔接正，黑表笔接负，测量时提供电流约为1mA，显示值为二管正向压降近似值，单位是mV或V。硅二管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V，说明二管击穿，此时正反向都导通。如果正反向均开路说明二管PN节开路。对于发光二管，正向测量时二管发光，管压降约1.7V左右。
二、三管
三管有两个PN节，发射节（be）和集电节（bc），按测量二管的方法测量即可。在实际测量时，每两个管脚间都要测正反向压降，共要测6次，其中有4次显示开路，只有两次显示压降值，否则三管是坏的或是特殊三管（如带阻三管、达林顿三管等，可通过型号与普通三管区分开来）。在两次有数值的测量中，如果黑表笔或红表笔接同一，则该是基，测量值较小的是集电节，较大的是发射节，因为已判断出基，对应可以判断出集电和发射。同时可以判断：如果黑表笔接同一，则三管是PNP型，如果红表笔接同一，则三管是NPN型；压降为0.6V左右的是硅管，压降为0.2V左右的是锗管。
三、可控硅：
可控硅阳与阴及控制是开路的，据此可以确定阳管脚和判断可控硅是否击穿。可控硅控制和阴间也是PN节，但是大功率可控硅控制和阴间有一个保护电阻，测量时显示值为电阻上的压降。
四、光耦
光耦的一侧是发光二管，测量时压降约1V左右，另外一侧是三管，有的只引出c、e，测量正反向均截止，如果三个脚都引出，测量特性同上面三管（多为NPN管）。当用一个万用表使二管正向导通，此时用另外一块万用表测三管c对e导通压降约为0.15V；断开接二管的万用表，三管c对e截止，说明该光耦是好的。
